香港最快开奖现场直播2019，详细列出了使用15V直流电源工作时，推挽式驱动器的典型栅极驱动电压和漏极电压波形。在推挽式驱动结构中，当互补MOSFET开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而，如图1所示，尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以及互补MOSFET开启时，n通道功率MOSFET的漏极也会出现尖峰电压。

　　可以通过为每个漏极添加简单的RC网络来抑制尖峰电压，如图2所示。合适的电阻(R)和电容(C)值可由如下过程确定。在阐述该过程之后，将有一个实例演示如何降低图1所示的尖峰电压。

　　在这部分，使用前面提到的五个步骤，可以计算出组成缓冲电路、用来降低图1中尖峰电压的适当电阻电容值。

　　在漏极和地线之间并联一个电容，以将谐振频率降至大约一半(17.5MHz)。如图4所示，330pF的并联电容即可将谐振频率降低至大约17.5MHz。最佳电容值可以通过尝试并联不同容量的电容来确定。最好从小容量电容开始(比如100pF)，然后逐渐增大。

　　因为330pF的并联电容即可将谐振频率降至原来的二分之一，寄生电容值应该是其三分之一(大约110pF)。

　　，而电容值C应该在寄生电容110pF的四到十倍之间。在本例中，我们选择电容C为1000pF，大约为寄生电容值的九倍。

　　本应用笔记说明，通过一些简单的经验测量，即可确定推挽式驱动结构中阻容缓冲电路的适当值。该缓冲电路可以大大降低功率MOSFET漏极不期望出现的尖峰电压。中国电信手机如何停机如何复机？，