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CCFL推挽式缓冲电路
发布日期:2022-01-18 11:36   来源:未知   阅读:

  香港最快开奖现场直播2019,详细列出了使用15V直流电源工作时,推挽式驱动器的典型栅极驱动电压和漏极电压波形。在推挽式驱动结构中,当互补MOSFET开启时,正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而,如图1所示,尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以及互补MOSFET开启时,n通道功率MOSFET的漏极也会出现尖峰电压。

  可以通过为每个漏极添加简单的RC网络来抑制尖峰电压,如图2所示。合适的电阻(R)和电容(C)值可由如下过程确定。在阐述该过程之后,将有一个实例演示如何降低图1所示的尖峰电压。

  在这部分,使用前面提到的五个步骤,可以计算出组成缓冲电路、用来降低图1中尖峰电压的适当电阻电容值。

  在漏极和地线之间并联一个电容,以将谐振频率降至大约一半(17.5MHz)。如图4所示,330pF的并联电容即可将谐振频率降低至大约17.5MHz。最佳电容值可以通过尝试并联不同容量的电容来确定。最好从小容量电容开始(比如100pF),然后逐渐增大。

  因为330pF的并联电容即可将谐振频率降至原来的二分之一,寄生电容值应该是其三分之一(大约110pF)。

  ,而电容值C应该在寄生电容110pF的四到十倍之间。在本例中,我们选择电容C为1000pF,大约为寄生电容值的九倍。

  本应用笔记说明,通过一些简单的经验测量,即可确定推挽式驱动结构中阻容缓冲电路的适当值。该缓冲电路可以大大降低功率MOSFET漏极不期望出现的尖峰电压。中国电信手机如何停机如何复机?

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